村田（Murata）的傳感器元件是利用電容技術(shù)設(shè)計(jì)的，在低耗電、低噪聲、溫度特性變化方面，也實(shí)現(xiàn)了出色的穩(wěn)定性。
村田（Murata）的振動(dòng)傳感器基于長(zhǎng)年積累獨(dú)特陶瓷技術(shù)，有較高的性能，是可以檢測(cè)振動(dòng)、沖擊的獨(dú)特的加速度傳感器。
基于村田（Murata）發(fā)展多年的陶瓷技術(shù)，小型、高性能的熱電型紅外線傳感器已商品化，且種類(lèi)齊全。
村田（Murata）的磁性識(shí)別傳感器，將永久磁鐵與磁電阻元件InSb (銻化銦)結(jié)合，使得微小磁性信息也能被輕易檢測(cè)出。寬泛的動(dòng)態(tài)范圍、間隙特征及高輸出，使其能夠檢測(cè)出磁性圖案或是磁化圖案。
基于村田長(zhǎng)期的獨(dú)特壓電陶瓷技術(shù)，將小尺寸、高性能的超聲波傳感器商品化，種類(lèi)齊全。
村田（Murata）的加速度傳感器采用了牢固程度得到公認(rèn)的硅基電容型3D MEMS技術(shù)。
傳感器元件和ASIC (為了最大限度發(fā)揮傳感器元件性能而設(shè)計(jì)的集成電路) 被封裝在雙列直插式 (Dual in-line) 或雙列扁平直插式 (Dual in-flatline) LCP外殼中。與貼裝或回流焊用的端子共同組裝成一個(gè)整體。在將傳感器元件和ASIC封裝起來(lái)時(shí)使用了硅凝膠，因此具有在高溫高濕環(huán)境中以及對(duì)應(yīng)溫度變化時(shí)的優(yōu)異性能和高可靠性。測(cè)量方向根據(jù)型號(hào)的不同可與貼裝面平行，也可與貼裝面垂直。
在ASIC中，包含有儲(chǔ)存著校正系數(shù)的片上EEPROM存儲(chǔ)器。村田（Murata）的加速度傳感器具有強(qiáng)力的故障檢測(cè)功能，具體包括數(shù)字啟動(dòng)時(shí)的自我診斷，校正存儲(chǔ)器的奇偶校驗(yàn)，總和校驗(yàn)以及一般情況的故障檢測(cè)功能。該產(chǎn)品可用于水平或垂直檢測(cè)，零點(diǎn)的溫度相關(guān)系數(shù)在1mg/℃以下。傳感器元件采用的是過(guò)阻尼 (通過(guò)加入惰性氣體降低高頻噪聲) 結(jié)構(gòu)。
村田（Murata）開(kāi)發(fā)、制造的陀螺儀可被廣泛應(yīng)用于各類(lèi)工業(yè)設(shè)備以及消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。各種型號(hào)的高性能陀螺儀都采用了MFI的3D MEMS技術(shù)和尖端的集成電路技術(shù)。
村田（Murata）面向工業(yè)設(shè)備的陀螺儀產(chǎn)品能夠以合理的價(jià)格為您提供在此之前只有昂貴的模塊型產(chǎn)品才具有的性能。從而使陀螺儀能夠以極低的成本被運(yùn)用在所有領(lǐng)域的產(chǎn)品中。傳感元件和測(cè)量電路被裝配在預(yù)先成形的雙列直插式 (DIL-Dual In-line) 外殼中，并通過(guò)填充硅凝膠起到保護(hù)作用，并通過(guò)不銹鋼蓋板來(lái)完成最后的封裝。該產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，特別適用于無(wú)鉛回流焊工藝。
村田（Murata）面向消費(fèi)電子的陀螺儀產(chǎn)品是從2010年11月由MURATA代理商開(kāi)始銷(xiāo)售的。該產(chǎn)品通過(guò)晶圓級(jí)封裝實(shí)現(xiàn)了極小的尺寸。通過(guò)簡(jiǎn)單并低耗電的相移讀出電路和晶圓級(jí)正交相位信號(hào)設(shè)計(jì)這兩項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定性。
村田（Murata）的傾斜傳感器是在已被應(yīng)用于車(chē)載領(lǐng)域的3D MEMS技術(shù)和自主設(shè)計(jì)的數(shù)字ASIC的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的，是高精度水平測(cè)量及傾斜測(cè)量的不二選擇。
傳感器元件以及ASIC被封裝在采用了LPC (液晶聚合物) 材料的雙列直插型外殼中。所有型號(hào)都符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，皆是支持無(wú)鉛回流焊的無(wú)鉛部件。封裝時(shí)使用的是硅凝膠，從而孕育出了即使在高濕及溫度頻繁變化環(huán)境下也毫不遜色的絕佳性能和可靠性。ASIC的校正系數(shù)則是被記錄在EEPROM存儲(chǔ)器中。
